Suite à l’annonce de Samsung, il y a quelques semaines,
Toshiba et Sandisk viennent d’annoncer la disponibilité prochaine de
puces de mémoire flash NAND atteignant des capacités de 8 et 16 Gbits (soit respectivement 1 et 2 Go). Les premiers prototypes gravés à 56 nm sont sortis fin décembre/début janvier, mais la production de masse des modèles de 8 Gbits ne devrait commencer qu’en mars, et celle de 16 Gbits fin avril. L’arrivée de ces nouvelles puces pourrait encore faire baisser le prix des produits à base de mémoire flash, qui a baissé de 70% en 2006 ! À suivre…
Ces nouvelles puces MLC (multi-level cell) atteignent des taux de transfert en écriture de l’ordre de 10 Mo/s. Cette augmentation des performances provient bien entendu de la plus grande finesse de gravure, mais également de l’augmentation de la taille des pages-mémoires (soit la quantité de données pouvant être écrite en une seule fois), ces dernières passant de 2 112 octets à 4 314 octets.
via
presence-pc
push
Ajouter un commentaire